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电子半导体废水处理案例|电子半导体废水处理方法

西南某LED概念片产出工厂,因产出步骤中运行砷化镓、酸洗铟等III-V族氧化物,废水里含砷(As)、镉(Cd)、铅(Pb)等天价属,来设计办理规模性1200吨/日。 电镀废水因素及源于 MOCVD仪器的洗涤生产废水 :含三级甲等基镉、三级甲等基铟等有机的彩石有机物 切割机磨细污废水 :含nm级金属件颗粒状 真空电镀生活污水 :含铜、镍等合金阳离子 工作步骤流程步骤流程 不断创新采用了"氧化物破络+血本属捕集器+膜分離"组合构成流程: 预工作单无 :添加亚硫酸氢钠分离有机物金属材料络合物 本质解决模块 : 运用DTCR天价属气体吸附剂确立不可溶性螯合物 超滤膜设备(UF)截流脂溶性结构影响物 反进行渗透(RO)脱盐率>98% 废水解决第一单元 :抽滤脱水加工后代为危废加工加工服务中心处理 结果郊果 经再次方探测: 总砷硫含量:0.05mg/L(国际标准0.5mg/L) 镉含水量:0.01mg/L(国际标准0.1mg/L) 水使用率:75% 开机运行生产成本:3.8元/吨水

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